材料分析
芯片电路修改/点针垫侦错
描述： 聚焦式离子束显微镜(Focus Ion Beam)，简称FIB)电路修改，原理是利用镓离子撞击样品表面，搭配有机气体进行有效的选择性蚀刻(切断电路)、沉积导体或非导体(新接电路)。
电路修改(FIB circuit) 通过聚焦式离子束显微镜(Focus Ion Beam)，即可提供芯片设计者直接修改芯片电路，无需重复改光罩重新投片，不仅可降低经费，更可加速芯片设计原型(Prototype)的验证与量产上市时间(Time-to-market)。
点针垫侦错 (CAD Probe Pad) 在芯片上做信号撷取点，通过FIB将芯片设计者欲量测的信号点引出到芯片表面，并利用机械式探针(Mechanical Prober) 撷取芯片内部信号。
晶背电路修改 随着覆晶封装基材限制，与先进制程演持续进到7nm，金属绕线层增加以及更为复杂紧密的电路布局，从晶背(Silicon)进行電路修改提升可行性与成功率。
应用范围：
可达4.5nm分辨率，可执行16/14/10nm制程之线路修补；
最大可放置8吋晶圆；
支持 Knights Merlin CAD Navigation 软件；
高准确度雷射导引Stage；
内建红外线IR显微镜可观察CMP层及绝缘硅层；
金属联机材质有钨(阻值较低)及白金(速度较快)两种选择；
建置FEI DE/DX蚀刻气体，应用于高深宽比、紧密电路。
检测图片：
芯片正面施作修改：
FIB点针垫侦错：
复杂电路施工：
利用FIB在芯片内部加电阻：
晶背电路修改：
检测设备能量：
提升电路修改良率建议：
去封胶、打线或封装后，先回测再进行FIB；
同一颗芯片上执行越多的修改内容，Fail风险会越高；
FIB联机的阻值较原芯片联机要高，若有低电阻联机过高电流需求，需先注明；
提供GDS II以利定位(局部区域或层数即可)作业，有助良率提升。
