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失效分析
剖面/晶背研磨
描述： 利用砂纸或钻石砂纸，搭配研磨头作局部研磨(Polishing)，加上后续的抛光，可处理出清晰的样品表面。剖面、断面研磨与晶背研磨(Backside Polishing)，都是为了可以衔接后续的分析检测。
研磨(Polishing)基本流程
切割：利用切割机裁将样品裁切成适当尺寸；
冷埋：利用混合胶填满样品隙缝，增强样品之结构强度，避免受研磨应力而造样品毁损；
研磨：样品以不同粗细之砂纸 (或钻石砂纸)，进行研磨；
抛光：于绒布转盘上加入适当的抛光液，进行抛光以消除研磨所残留的细微刮痕。
应用范围：
芯片产品，如覆晶封装( Flip Chip)、铝/铜制程结构、C-MOS Image Sensor；
PCB/PCBA等各种板材或成品；LED成品。
检测图片：
晶背研磨(Backside Polishing)：
一般芯片晶背研磨
COB封装形式晶背研磨
晶背研磨后， OBIRCH分析影像
剖面研磨 (Cross-section)：
Package样品剖面研磨
MOSFET剖面研磨
铜制程剖面研磨
