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失效分析
激光束电阻异常侦测
描述：
激光束电阻异常侦测(Optical Beam Induced Resistance Change，以下简称OBIRCH)，以镭射光在芯片表面(正面或背面) 进行扫描，在芯片功能测试期间，OBIRCH 利用镭射扫描芯片内部连接位置，并产生温度梯度，藉此产生阻值变化，并经由阻值变化的比对，定位出芯片Hot Spot(亮点、热点)缺陷位置。
OBIRCH常用于芯片内部电阻异常(高阻抗/低阻抗)、及电路漏电路径分析。可快速对电路中缺陷定位，如金属线中的空洞、通孔(via)下的空洞，通孔底部高电阻区等，也能有效的检测短路或漏电。
测试范围：
金属线/Poly/Well短路 (Metal Short/Metal bridge)；
闸极氧化层漏电(Gate Oxide Pin Hole)；
金属导通孔/接触孔阻值异常；
任何有材质或厚度不一样的Short/Bridge/Leakage/High Resistance 等芯片失效情况。
检测图片：
经由OBIRCH扫描芯片正面、背面，找到异常亮点、热点(Hot Spot)。
检测设备：
检测优势：
1、OBIRCH快速可以侦测扫描芯片背面，找到异常亮点、热点(Hot Spot)；
2、效率高、可进行Backside Probe免去COB样品备制的时间。
