失效分析
砷化镓铟微光显微镜
描述：
砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)与微光显微镜(EMMI)其侦测原理相同，都是用来侦测故障点定位，寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具，其原理都是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子。区别在于InGaAs可侦测的波长较长，范围约在900nm到1600nm之间，等同于红外线的波长区， EMMI则是在350nm到1100nm。InGaAs相较EMMI，更适用在检测先进制程组件的缺陷，原因在于尺寸小的组件，相对操作电压也随之降低，使得热载子所激发出的光波长变得较长，而InGaAs就非常适合用于侦测先进制程产品的亮点、热点(Hot Spot)定位。
应用范围：
半导体失效分析、通讯领域中光斑分析、光学相控阵等。
检测图片：
InGaAs hot spot：侦测到die内部电路局部有异常点，便于失效分析后续去层和FIB分析。
EMMI 与InGaAs比较，相同热点、亮点(Hot Spot)的状况下，EMMI与InGaAs侦测的强度落差,InGaAs 在失效分析领域中更适合侦测芯片的微小漏电，定位更精确。
检测设备：
检测优势：
侦测 缺陷(Defect)时间比 EMMI 短 5 ~ 10 倍。
可侦测到微小电流及先进制程的缺陷(Defect)。
可侦测到较轻微的 Metal Bridge。
针对 芯片 背面(Back-Side)的定位分析，红外光对硅基板穿透率较高。 侦测的到亮点、热点(Hot Spot)情况：
接面漏电(Junction Leakage)
Contact Spiking
热电子效应(Hot Electrons)
闩锁效应(Latch-Up)
闸极氧化层缺陷或漏电(Gate Oxide Defects / Leakage -F-N Current)
多晶硅的细丝残留 (Poly-Silicon Filaments)
硅基底损伤( Substrate Damage)
机械性损伤(Mechanical Damage)
接面崩溃( Junction Avalanche)等
