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失效分析
静电放电/过度电性应力/闩锁试验
描述： ESD（Electro-Static discharge）的意思是“静电释放”。电荷从一个物体转移到另一个物体。静电是一种客观的自然现象，产生的方式多种，如接触、摩擦等。静电的特点是高电压、低电量、小电流和作用时间短的特点。
EOS (Electrical Over stress)指所有的过度电性应力。当外界电流或电压超过器件的最大规范条件时，器件性能会减弱甚至损坏。
Latch up 是指cmos晶片中，在电源power VDD和地线 GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路。
通过测试了解芯片组件脆弱点与静电承受度，作为后续系统设计、芯片电路设计调整、甚至后续RMA失效分析的依据。
应用范围：
芯片零部件与成品模块。
测试模式：
人体放电模式(Human Body Mode)测试；
机器放电模式(Machine Mode) 测试；
组件充/放电模式(Charged Device Mode) 测试；
闩锁效应(Latch-up) 测试；
静电放电闩锁测式(Transient-Induced Latch up)；
系统级静电放电模式 (System ESD Test–ESD GUN TEST)；
测试ESD I-V Curve量测；
过度电性应力EOS (Electrical Over stress)测试。
检测设备图片：
静电枪 浪涌测试仪
检测优势：
1、静电测试仪和浪涌测试仪能快速，高效的对失效机理进行反向验证；
2、分析周期更短、效率更快。
