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失效分析
点针信号量测
描述：透过OM显微镜，利用一般点针(Prober)，搭接于芯片内部线路，使其可以外接各类电性量测设备，以输入信号及量测电性曲线。可依据不同需求，搭配多种设备进行量测，借助点针(Prober)进行电性量测，对于半导体组件失效分析，均能提供直接且快速的信息。
应用范围：
组件电性特性分析；
微机电及芯片微结构研究；
可应用在高频电路及FIB Probing PAD及Active Probe (200 MHz)；
当分析样品需使用如InGaAs/OBIRCH/TLP/ESD/Curve Tracer等仪器却无适当治具或socket可用时，可用点针方式提供信号输入输出；
Wafer可点针进行各项测试；
实验室另架设有Laser System，可做Laser Cut。
栅极电压扫描曲线：
Vgs对Ids的曲线图，当晶体管的Vds电压固定时，变动Vgs则Ids亦会改变，可以得到一条Vgs 对Ids的曲线图。此曲线可以研究在信道中的载子(电子或电洞)是如何被提升到传导带，而信道形成的临界电压及线性区的临界电压都可以被测得，可研究晶体管相当重要的特性曲线。
测试图片和曲线：
设备图片：
创芯在线实验室设备优势：
1、侦测范围广：BGA Ball, 各类型Die Pad, FIB Pad，等晶圆级量测；
2、有助于失效分析快速确认失效模式，排查失效点，缩小失效范围，为去层分析和FIB分析做铺垫。
