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材料分析
双束聚焦离子束
描述： Dual Beam FIB(双束聚焦离子束)机台能在使用离子束切割样品的同时，以电子束对样品断面进行观察，亦可进行EDX成份分析。
Dual Beam FIB具备超高分辨率的离子束及电子束，能针对样品的微细结构进行奈米尺度的定位及观察。离子束最大电流可达65nA，极佳的切削速度能大幅缩短分析的时长，降低实验的成本。
应用范围：
半导体组件失效分析结构分析(能力可达14nm高阶制程)；
半导体生产线制程异常分析；
磊晶与薄膜结构分析；
穿透式电子显微镜试片制作。
检测图片：
TEM样品制备：最薄可制备出厚度约15nm之TEM试片。
铜晶粒分析：采用特殊样品制备手法(研磨+ Ion milling)，迅速得到大范围铜晶粒影像。
EDS分析：75mm2大面积EDS侦测器，可达极佳的空间分辨率，实现边切、边拍、边分析的高阶应用。
横截面分析：Helios NanoLab具有极佳的E-beam分辨率，标示处3nm的Void与Gate Oxide均清晰可见。
检测设备能量图片：
FEI Helios NanoLab 660
样品最大尺寸：150mm；
配有75mm2 SDD EDS侦测器，可进行实时EDS分析；
配有MultiChem气体系统，可通入六种沉积或stain气体；
观测范围宽度超过100um，或深度超过50um时，建议可改用切削速度更快速的Plasma FIB。
