MOS管也叫场效应管，是电路中常用的功率器件。根据材料结构不同分为两种：N沟道MOS管，P沟道MOS管。场效应管字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。下面介绍MOS场效应管参数对照表及主要规格。
场效应管看参数
1、K3878是场效应管，型号命名，有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。
2、第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
3、第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
封装形式：
MOSFET芯片在制作完成之后,需要给MOSFET芯片加上一个外壳,即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用,同时还为芯片提供电气连接和隔离,以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。按照安装在PCB方式来区分,MOS管封装主要有两大类:插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB上。表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。
TO封装规格
1、TO（Transistor Out-line）的中文即“晶体管外形”，是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。
2、近年来表面贴装市场需求量的增大也使得TO封装进展到表面贴装式封装。TO252和TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。
FHP、FHF、FHA是对应着这三个的TO-220 TO-220F TO-3PN。其中FHP为TO-220，封装形式是为铁头，FHF为TO-220F封装形式为塑封，FHA为TO-3PN。
场效应管的主要参数
1.开启电压UT (MOSFET)
通常将刚刚形成导电沟道、出现漏极电流ID时对应的栅一源电压称为开启电压，用UGS(th)或UT表示。
开启电压UT是MOS增强型管的参数。当栅一源电压UGS小于开启电压的绝对值时，场效应管不能导通。
2.夹断电压UP (JFET)
当UDS为某一固定值(如10V)，使ID等于某一微小电流(如50mA)时，栅一源极间加的电压即为夹断电压。当UGS=UP时，漏极电流为零。
3.饱和漏极电流IDSS (JFET)
饱和漏极电流IDSS是在UGS =0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。IDSS型场效应管所能输出的最大电流。
4.直流输入电阻RGS
直流输入电阻RGS是漏一源短路，栅一源加电压时栅一源极 之间的直流电阻。
结型场效应管：RGS》107ΩMOS管：RGS》109～1015Ω。
5.跨导Gm
漏极电流的微变量与栅一源电压微变量之比，即gm=△ID/△UGS。它是衡量场效应管栅一源电压对漏极电流控制能力的一个参数。gm相当于三极管的hFE。
6.最大漏极功耗
最大漏极功耗PD=UDSID，相当于三极管的PCM。
