当下对产品质量和可靠性的要求不断提升，失效分析的工作也变得越发得到重视，通过芯片的失效分析，能够找出在集成电路中的缺陷、参数的异常或者设计操作的不当等各方面的问题。失效分析的目的是确定失效模式和失效机理，提出纠正措施，防止这种失效模式或者失效机理再次重复出现，从而影响我们的正常应用及生产。
失效模式是指我们观察到的失效现象，失效形式，如开路、短路，冒泡、击穿、参数异常、功能失效等。
失效分析主要步骤和内容
芯片开封：去除IC封胶，同时保持芯片功能的完整无损，保持 die，bond pads，bond wires乃至lead-frame不受损伤，为下一步芯片失效分析实验做准备。
SEM 扫描电镜/EDX成分分析：包括材料结构分析/缺陷观察、元素组成常规微区分析、精确测量元器件尺寸等等。探针测试：以微探针快捷方便地获取IC内部电信号。镭射切割：以微激光束切断线路或芯片上层特定区域。
EMMI侦测：EMMI微光显微镜是一种效率极高的失效分错析工具，提供高灵敏度非破坏性的故障定位方式，可侦测和定位非常微弱的发光（可见光及近红外光），由此捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光。
_20230113113619_256.jpg "ic芯片分析流程步骤是什么？第三方专业检测机构")
OBIRCH应用（镭射光束诱发阻抗值变化测试）：OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析，线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等，也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。LG液晶热点侦测：利用液晶感测到IC漏电处分子排列重组，在显微镜下呈现出不同于其它区域的斑状影像，找寻在实际分析中困扰设计人员的漏电区域（超过10mA之故障点）。定点/非定点芯片研磨：移除植于液晶驱动芯片 Pad上的金凸块， 保持Pad完好无损，以利后续分析或rebonding。
X-Ray 无损侦测：检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接，开路、短路或不正常连接的缺陷，封装中的锡球完整性。
SAM (SAT)超声波探伤：可对IC封装内部结构进行非破坏性检测, 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如：o晶元面脱层，o锡球、晶元或填胶中的裂缝，o封装材料内部的气孔，o各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞。
失效分析的意义
失效分析是确定芯片失效机理的必要手段。
失效分析为有效的故障提供了必要的信息。
失效分数为设计工程师不断改进或者优化芯片的设计，使之与设计规范更加吻合提供必要的反馈信息。
失效分析可以评估不同测试向量的有效性，为生产测试提供必要的补充，为验证测试流程优化提供必要的信息基础。
总结，失效分析对于IC芯片的制作、生产、研发、使用等各个方面都有十分重要的作用，做好失效分析，能够帮助产品优化，研发改进、合理使用，还能够在产品更新迭代上避免不少的问题。那么今天的内容就分享到这里了，如果觉得内容对您有帮助的话，欢迎关注开云全站体育 ，我们将为您提供更多行业资讯！
